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单MOSFET :
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制造商
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功率耗散
=1.39W
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漏源接通状态电阻
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晶体管封装类型
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晶体管安装
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Rds(on)测试电压
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压, Vds | 电流, Id 连续 | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 功率耗散 | 针脚数 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.220(CNY2.5086) 500+ CNY1.700(CNY1.921) 1000+ CNY1.510(CNY1.7063) 5000+ CNY1.480(CNY1.6724) | N通道 | 60V | 10A | 0.0109ohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.2V | 1.39W | 8引脚 | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.570(CNY6.2941) 10+ CNY3.440(CNY3.8872) 100+ CNY2.220(CNY2.5086) 500+ CNY1.700(CNY1.921) 1000+ CNY1.510(CNY1.7063) 更多价格信息... | N通道 | 60V | 10A | 0.0109ohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.2V | 1.39W | 8引脚 | 150°C | ||||||
