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SQS160ELNW-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 141 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.890 | CNY11.89 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
| 10+ | CNY7.510 (CNY8.4863) |
| 100+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 500+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 1000+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 5000+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQS160ELNW-T1_GE3
库存编号
复卷4014737RL
切割卷带4014737
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续141A
漏源接通状态电阻4300µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212-8SLW
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散113W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
141A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
113W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
4300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001