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MOSFET模块 :
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功率耗散
=830W
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通道类型
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电流, Id 连续
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漏源电压, Vds
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晶体管封装类型
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 晶体管安装 | 功率耗散 | 工作温度最高值 | 针脚数 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY460.610(CNY520.4893) 5+ CNY410.840(CNY464.2492) 10+ CNY361.070(CNY408.0091) 50+ CNY353.850(CNY399.8505) | P通道 | 210A | 100V | 7500µohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 150°C | - | TrenchP | ||||||
每个 | 1+ CNY432.220(CNY488.4086) 5+ CNY392.780(CNY443.8414) 10+ CNY353.330(CNY399.2629) 50+ CNY346.270(CNY391.2851) | N Channel | 178A | 100V | 11mohm | SOT-227 | 10V | 4.5V | Module | 830W | 150°C | 4引脚 | LinearL2 Series | ||||||
每个 | 1+ CNY269.950(CNY305.0435) 5+ CNY258.060(CNY291.6078) 10+ CNY246.160(CNY278.1608) 50+ CNY238.210(CNY269.1773) | N通道 | 360A | 100V | 2600µohm | - | 100V | 4.5V | - | 830W | 175°C | - | Trench HiperFET | ||||||
每个 | 1+ CNY464.500(CNY524.885) 5+ CNY402.780(CNY455.1414) 10+ CNY341.060(CNY385.3978) 50+ CNY337.670(CNY381.5671) | N通道 | 400A | 150V | 2350µohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 175°C | - | - | ||||||
