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MOSFET模块 :
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制造商
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功率耗散
=680W
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通道类型
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电流, Id 连续
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漏源电压, Vds
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漏源接通状态电阻
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晶体管封装类型
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Rds(on)测试电压
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阈值栅源电压最大值
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晶体管安装
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工作温度最高值
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 晶体管安装 | 功率耗散 | 工作温度最高值 | 针脚数 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY156.170(CNY176.4721) | N通道 | 140A | 200V | 0.018ohm | ISOTOP | 10V | 5V | 模块 | 680W | 175°C | 4引脚 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY254.210(CNY287.2573) 5+ CNY229.200(CNY258.996) 10+ CNY204.190(CNY230.7347) 50+ CNY200.110(CNY226.1243) 100+ CNY196.030(CNY221.5139) | N通道 | 150A | 150V | 0.011ohm | ISOTOP | 10V | 5V | 模块 | 680W | 175°C | 4引脚 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY258.330(CNY291.9129) 5+ CNY224.340(CNY253.5042) 10+ CNY190.340(CNY215.0842) 50+ CNY186.730(CNY211.0049) 100+ CNY183.110(CNY206.9143) | N通道 | 200A | 100V | 7500µohm | ISOTOP | 15V | 5V | 模块 | 680W | 175°C | 4引脚 | Polar(TM) HiPerFET | ||||||
