150V MOSFET模块 :
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制造商
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漏源电压, Vds
=150V
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通道类型
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电流, Id 连续
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漏源接通状态电阻
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晶体管封装类型
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Rds(on)测试电压
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阈值栅源电压最大值
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晶体管安装
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功率耗散
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工作温度最高值
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 电流, Id 连续 | 漏源电压, Vds | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 晶体管安装 | 功率耗散 | 工作温度最高值 | 针脚数 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY254.210(CNY287.2573) 5+ CNY229.200(CNY258.996) 10+ CNY204.190(CNY230.7347) 50+ CNY200.110(CNY226.1243) 100+ CNY196.030(CNY221.5139) | N通道 | 150A | 150V | 0.011ohm | ISOTOP | 10V | 5V | 模块 | 680W | 175°C | 4引脚 | - | ||||||
每个 | 1+ CNY464.500(CNY524.885) 5+ CNY402.780(CNY455.1414) 10+ CNY341.060(CNY385.3978) 50+ CNY337.670(CNY381.5671) | N通道 | 400A | 150V | 2350µohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 175°C | - | - | ||||||
每个 | 1+ CNY443.180(CNY500.7934) 5+ CNY413.260(CNY466.9838) 10+ CNY383.330(CNY433.1629) 50+ CNY350.290(CNY395.8277) | N通道 | 310A | 150V | 4000µohm | - | 10V | 5V | - | 1070W | 175°C | - | GigaMOS TrenchT2 HiPERFET Series | ||||||
每个 | 1+ CNY349.150(CNY394.5395) 5+ CNY328.160(CNY370.8208) 10+ CNY307.160(CNY347.0908) 50+ CNY286.160(CNY323.3608) 100+ CNY273.860(CNY309.4618) | - | 400A | 150V | - | - | 10V | 4.5V | - | 695W | - | - | - | ||||||


