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双MOSFET :
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制造商
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晶体管封装类型
=X1-DFN1612
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY1.980(CNY2.2374) 500+ CNY1.520(CNY1.7176) 1000+ CNY1.320(CNY1.4916) 5000+ CNY1.160(CNY1.3108) | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 20V | 750mA | 0.4ohm | 750mA | 750mA | 0.55ohm | 表面安装 | 0.9ohm | 4.5V | X1-DFN1612 | 1V | 6引脚 | 500mW | 500mW | 500mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.930(CNY5.5709) 10+ CNY3.080(CNY3.4804) 100+ CNY1.980(CNY2.2374) 500+ CNY1.520(CNY1.7176) 1000+ CNY1.320(CNY1.4916) 更多价格信息... | - | 互补N与P沟道 | 20V | - | 20V | - | - | 750mA | 750mA | 0.55ohm | - | 0.9ohm | - | X1-DFN1612 | - | 6引脚 | - | 500mW | 500mW | 150°C | ||||||
