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双MOSFET :
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制造商
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功耗 Pd
=200mW
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 合规 | 汽车质量标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY1.820(CNY2.0566) 500+ CNY1.380(CNY1.5594) 1000+ CNY1.300(CNY1.469) 5000+ CNY0.969(CNY1.095) | N沟道 | N通道 | 50V | 50V | 50V | 200mA | 1.4ohm | 200mA | 200mA | 3.5ohm | 表面安装 | 10V | SOT-363 | 1.2V | 6引脚 | 200mW | 200mW | 200mW | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.480(CNY2.8024) 500+ CNY1.770(CNY2.0001) 1000+ CNY1.740(CNY1.9662) 5000+ CNY1.700(CNY1.921) | N沟道 | N通道 | 50V | 50V | 50V | 200mA | 1.4ohm | 200mA | 200mA | 3.5ohm | 表面安装 | 10V | SOT-363 | 1.2V | 6引脚 | 200mW | 200mW | 200mW | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | ||||||
