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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率P沟道
=780mW
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.500(CNY6.215) 10+ CNY3.430(CNY3.8759) 100+ CNY2.240(CNY2.5312) 500+ CNY1.730(CNY1.9549) 1000+ CNY1.550(CNY1.7515) 更多价格信息... | - | N通道 | 20V | - | 20V | - | - | 5.4A | 5.4A | 0.0185ohm | - | - | TSSOP | - | 8引脚 | - | 780mW | 780mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.240(CNY2.5312) 500+ CNY1.730(CNY1.9549) 1000+ CNY1.550(CNY1.7515) 5000+ CNY1.420(CNY1.6046) | N沟道 | N通道 | 20V | 20V | 20V | 5.4A | 0.0155ohm | 5.4A | 5.4A | 0.0185ohm | 表面安装 | 10V | TSSOP | 950mV | 8引脚 | 780mW | 780mW | 780mW | 150°C | ||||||
