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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率P沟道
=6W
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3009687 RoHS | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY4.310(CNY4.8703) 10+ CNY3.290(CNY3.7177) | - | N通道 | 30V | - | 30V | - | 15A | 15A | 0.0119ohm | - | 0.0119ohm | SON | - | 8引脚 | - | 6W | 6W | 150°C | |||||
3009686 RoHS | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.430(CNY12.9159) 10+ CNY7.590(CNY8.5767) 100+ CNY6.330(CNY7.1529) 500+ CNY5.530(CNY6.2489) 1000+ CNY5.240(CNY5.9212) 更多价格信息... | - | N通道 | 30V | - | 30V | - | 20A | 20A | - | - | - | LSON | - | 8引脚 | - | 6W | 6W | 150°C | |||||
3009686RL RoHS | 单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY6.330(CNY7.1529) 500+ CNY5.530(CNY6.2489) 1000+ CNY5.240(CNY5.9212) 5000+ CNY5.140(CNY5.8082) | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 20A | 20A | 20A | - | 表面安装 | - | LSON | 1V | 8引脚 | 6W | 6W | 6W | 150°C | |||||
