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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率P沟道
=1.78W
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
(1)
在电阻RDS（上）
(1)
连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.630(CNY2.9719) 500+ CNY2.030(CNY2.2939) 1000+ CNY1.810(CNY2.0453) 5000+ CNY1.460(CNY1.6498) | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 5.5A | 0.026ohm | 5.5A | 5.5A | 0.035ohm | 表面安装 | 10V | V-DFN3020 | 2V | 8引脚 | 1.78W | 1.78W | 1.78W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY6.430(CNY7.2659) 10+ CNY4.020(CNY4.5426) 100+ CNY2.630(CNY2.9719) 500+ CNY2.030(CNY2.2939) 1000+ CNY1.810(CNY2.0453) 更多价格信息... | - | N通道 | 30V | - | 30V | - | - | 5.5A | 5.5A | 0.035ohm | - | - | V-DFN3020 | - | 8引脚 | - | 1.78W | 1.78W | 150°C | ||||||
