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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率N沟道
=83W
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY12.350(CNY13.9555) 50+ CNY8.310(CNY9.3903) 250+ CNY6.720(CNY7.5936) 1000+ CNY6.280(CNY7.0964) 3000+ CNY5.420(CNY6.1246) | 双N通道 | 30V | - | 257A | - | 900µohm | - | PowerPAIR F | 8引脚 | 83W | - | 150°C | TrenchFET Gen IV SkyFET Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.470(CNY25.3911) 10+ CNY14.550(CNY16.4415) 100+ CNY10.060(CNY11.3678) 500+ CNY8.090(CNY9.1417) 1000+ CNY7.360(CNY8.3168) 更多价格信息... | N通道 | 30V | 30V | 257A | 257A | 450µohm | 450µohm | PowerPAIR | 8引脚 | 83W | 83W | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | ||||||
