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双MOSFET :
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制造商
(3)
耗散功率N沟道
=1.12W
1
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晶体管极性
(1)
通道类型
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漏源电压Vds N沟道
(3)
漏源电压, Vds
(1)
漏源电压Vds P沟道
(3)
电流, Id 连续
(1)
在电阻RDS（上）
(1)
连续漏极电流 Id N沟道
(3)
连续漏极电流 Id P沟道
(3)
包装
(2)
(2)
| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 合规 | 汽车质量标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY3.820(CNY4.3166) 10+ CNY2.340(CNY2.6442) 100+ CNY1.480(CNY1.6724) 500+ CNY1.100(CNY1.243) 1000+ CNY0.978(CNY1.1051) 更多价格信息... | - | 互补N与P沟道 | 20V | - | 20V | - | - | 1.34A | 1.34A | 0.4ohm | - | 0.7ohm | - | SOT-26 | - | 6引脚 | - | 1.12W | 1.12W | 150°C | - | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.000(CNY2.260) 500+ CNY1.520(CNY1.7176) 1000+ CNY1.140(CNY1.2882) 5000+ CNY0.883(CNY0.9978) | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 20V | 1.34A | 0.3ohm | 1.34A | 1.34A | 0.4ohm | 表面安装 | 0.7ohm | 4.5V | SOT-26 | 1V | 6引脚 | 1.12W | 1.12W | 1.12W | 150°C | AEC-Q101 | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.110(CNY5.7743) 10+ CNY3.130(CNY3.5369) 100+ CNY2.000(CNY2.260) 500+ CNY1.520(CNY1.7176) 1000+ CNY1.140(CNY1.2882) 更多价格信息... | - | 互补N与P沟道 | 20V | - | 20V | - | - | 1.34A | 1.34A | 0.4ohm | - | 0.7ohm | - | SOT-26 | - | 6引脚 | - | 1.12W | 1.12W | 150°C | AEC-Q101 | - | ||||||
