200V 双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
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漏源导通电阻P沟道
晶体管封装类型
针脚数
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY13.800 (CNY15.594)25+ CNY11.430 (CNY12.9159)100+ CNY10.370 (CNY11.7181)3300+ CNY10.170 (CNY11.4921) | 互补N与P沟道 | 200V | 200V | - | - | 7ohm | 7ohm | NSOIC | 8引脚 | - | - | 150°C | - | - | ||||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY34.960 (CNY39.5048)10+ CNY23.160 (CNY26.1708)100+ CNY16.460 (CNY18.5998)500+ CNY14.480 (CNY16.3624)1000+ CNY14.200 (CNY16.046) | 互补N与P沟道, N沟道 | 200V | 200V | 30A | 30A | 7700µohm | 7700µohm | - | 10引脚 | 60W | 60W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | ||||||
每个 | 1+ CNY23.790 (CNY26.8827)10+ CNY17.550 (CNY19.8315)100+ CNY14.060 (CNY15.8878)500+ CNY12.660 (CNY14.3058)1000+ CNY11.910 (CNY13.4583) | N通道 | 200V | 200V | 9.1A | 9.1A | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-220FP | 5引脚 | 21W | 21W | 150°C | - | - | ||||||


