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双MOSFET :
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连续漏极电流 Id P沟道
=2.7A
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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漏源通态电阻N沟道
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.050(CNY21.5265) 10+ CNY12.120(CNY13.6956) 100+ CNY8.160(CNY9.2208) 500+ CNY6.620(CNY7.4806) 1000+ CNY5.930(CNY6.7009) 更多价格信息... | N沟道+肖特基 | 100V | 100V | 2.7A | 2.7A | 0.105ohm | 0.105ohm | SOIC | 8引脚 | 1.6W | 1.6W | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.140(CNY4.6782) 10+ CNY2.890(CNY3.2657) 100+ CNY2.150(CNY2.4295) 500+ CNY1.820(CNY2.0566) 1000+ CNY1.580(CNY1.7854) 更多价格信息... | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 2.7A | 2.7A | 0.11ohm | 0.11ohm | µSOIC | 8引脚 | 1.25W | 1.25W | 150°C | ||||||
