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双MOSFET :
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制造商
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连续漏极电流 Id N沟道
=8.1A
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晶体管极性
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压, Vds
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漏源电压Vds P沟道
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电流, Id 连续
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在电阻RDS（上）
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY3.040(CNY3.4352) 500+ CNY2.360(CNY2.6668) 1000+ CNY1.870(CNY2.1131) 5000+ CNY1.650(CNY1.8645) | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 30V | 8.1A | 0.023ohm | 8.1A | 8.1A | 0.032ohm | 表面安装 | 0.039ohm | 10V | SOIC | 1.45V | 8引脚 | 2.5W | 2.5W | 2.5W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY7.460(CNY8.4298) 10+ CNY4.650(CNY5.2545) 100+ CNY3.040(CNY3.4352) 500+ CNY2.360(CNY2.6668) 1000+ CNY1.870(CNY2.1131) 更多价格信息... | - | 互补N与P沟道 | 30V | - | 30V | - | - | 8.1A | 8.1A | 0.032ohm | - | 0.039ohm | - | SOIC | - | 8引脚 | - | 2.5W | 2.5W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY5.950(CNY6.7235) 50+ CNY4.660(CNY5.2658) 250+ CNY2.610(CNY2.9493) 1000+ CNY2.570(CNY2.9041) 2000+ CNY2.530(CNY2.8589) | - | N通道 | 30V | - | 30V | - | - | 8.1A | 8.1A | 0.014ohm | - | 0.014ohm | - | SOIC | - | 8引脚 | - | 2W | 2W | 150°C | HEXFET Series | ||||||
