XP4NA1R4CMT-A

功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, 表面安装

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YAGEO XSEMI XP4NA1R4CMT-A 功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 223 A, 1400 µohm, PMPAK, 表面安装
制造商YAGEO XSEMI
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复卷4168965RL
切割卷带4168965
产品范围XP4NA1R4C Series
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产品信息

  • 制造商YAGEO XSEMI
    制造商产品编号XP4NA1R4CMT-A复制
    库存编号
    复卷4168965RL
    切割卷带4168965
    产品范围XP4NA1R4C Series
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds45V
    电流, Id 连续223A
    漏源接通状态电阻1400µohm
    晶体管封装类型PMPAK
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3V
    功率耗散5W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围XP4NA1R4C Series
    合规-

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    223A

    晶体管封装类型

    PMPAK

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    5W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    45V

    漏源接通状态电阻

    1400µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    XP4NA1R4C Series

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Taiwan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000001