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单MOSFET :
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制造商
通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
1
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
1 筛选条件已选择
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
INFINEON
2916121
单件（切割供应）
切割卷带
- 通道类型N通道漏源电压, Vds600V电流, Id 连续16A漏源接通状态电阻0.127ohm晶体管封装类型TO-252 (DPAK)晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值4V功率耗散83W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围CoolMOS CFD7合规-湿气敏感性等级-SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)RoHS 合规是
RoHS
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
INFINEON
3267780
单件（切割供应）
切割卷带
- 通道类型N通道漏源电压, Vds600V电流, Id 连续16A漏源接通状态电阻0.127ohm晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值4V功率耗散83W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围CoolMOS CFD7合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)RoHS 合规是
RoHS
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, 通孔
INFINEON
2916153
价格：每个
- 通道类型N通道漏源电压, Vds600V电流, Id 连续16A漏源接通状态电阻0.127ohm晶体管封装类型TO-247晶体管安装通孔Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值4V功率耗散83W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围CoolMOS CFD7合规-湿气敏感性等级-SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)RoHS 合规是
RoHS
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-220, 通孔
INFINEON
2916146
价格：每个
- 通道类型N通道漏源电压, Vds600V电流, Id 连续16A漏源接通状态电阻0.127ohm晶体管封装类型TO-220晶体管安装通孔Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值4V功率耗散83W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围CoolMOS CFD7合规-湿气敏感性等级-SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)RoHS 合规是
RoHS
